maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / LNY2W332MSEFBN
Référence fabricant | LNY2W332MSEFBN |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-LNY2W332MSEFBN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LNY |
LNY2W332MSEFBN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 3300µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 450V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 11.1A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 15.54A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.866" (22.00mm) |
Taille / Dimension | 2.008" Dia (51.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 6.811" (173.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNY2W332MSEFBN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LNY2W332MSEFBN-FT |
LNY2G472MSEGBN
Nichicon
LNY2G472MSEHBB
Nichicon
LNY2G472MSEHBN
Nichicon
LNY2G562MSEGBB
Nichicon
LNY2G562MSEGBN
Nichicon
LNY2G562MSEHBB
Nichicon
LNY2G562MSEHBN
Nichicon
LNY2G682MSEGBB
Nichicon
LNY2G682MSEGBN
Nichicon
LNY2G822MSEGBB
Nichicon
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC2S100-5FG256C
Xilinx Inc.
A3P600-2FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22C7
Intel
5SGXEA4K3F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152I4L
Intel