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Référence fabricant | LQM21PH2R2NGCD |
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Numéro de pièce future | FT-LQM21PH2R2NGCD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQM21 |
LQM21PH2R2NGCD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 800mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 288 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 40MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.041" (1.05mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQM21PH2R2NGCD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQM21PH2R2NGCD-FT |
1269AS-H-6R8M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-R24M=P2
Murata Electronics North America
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DFE201610R-H-1R5M=P2
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Murata Electronics North America
DFE201612R-H-1R5M=P2
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XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation