maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / DFE201610R-H-2R2M=P2
Référence fabricant | DFE201610R-H-2R2M=P2 |
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Numéro de pièce future | FT-DFE201610R-H-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DFE201610R |
DFE201610R-H-2R2M=P2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.4A |
Courant - Saturation | 2A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 168 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201610R-H-2R2M=P2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFE201610R-H-2R2M=P2-FT |
LQG15WZ6N2S02D
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LQG15WZ6N8H02D
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82153C
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A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
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