maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / LQA40B150C
Référence fabricant | LQA40B150C |
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Numéro de pièce future | FT-LQA40B150C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Qspeed™ |
LQA40B150C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 16.9ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQA40B150C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQA40B150C-FT |
RB731UT108
Rohm Semiconductor
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21AVD,135
Nexperia USA Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel