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Référence fabricant | LNT2W272MSEGBN |
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Numéro de pièce future | FT-LNT2W272MSEGBN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LNT |
LNT2W272MSEGBN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 2700µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 450V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 5000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 13.8A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 19.32A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 1.126" (28.60mm) |
Taille / Dimension | 2.500" Dia (63.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 5.236" (133.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNT2W272MSEGBN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LNT2W272MSEGBN-FT |
LNT2G472MSEGBB
Nichicon
LNT2G472MSEGBN
Nichicon
LNT2G472MSEHBB
Nichicon
LNT2G472MSEHBN
Nichicon
LNT2G562MSEHBB
Nichicon
LNT2G562MSEHBN
Nichicon
LNT2G681MSEFBB
Nichicon
LNT2G681MSEFBN
Nichicon
LNT2G682MSEHBB
Nichicon
LNT2G682MSEHBN
Nichicon
LCMXO640E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FG484M
Microsemi Corporation
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C7
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
AGL125V2-CS196
Microsemi Corporation
A42MX09-TQG176M
Microsemi Corporation