maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / LNT2G562MSEHBN
Référence fabricant | LNT2G562MSEHBN |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-LNT2G562MSEHBN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LNT |
LNT2G562MSEHBN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 5600µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 400V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 5000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 23.7A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 33.18A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 1.252" (31.80mm) |
Taille / Dimension | 3.000" Dia (76.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 6.024" (153.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNT2G562MSEHBN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LNT2G562MSEHBN-FT |
LNT2A223MSEN
Nichicon
LNT2A332MSEN
Nichicon
LNT2A333MSEB
Nichicon
LNT2A333MSEN
Nichicon
LNT2A472MSEN
Nichicon
LNT2A473MSEB
Nichicon
LNT2A473MSEN
Nichicon
LNT2A682MSEB
Nichicon
LNT2A682MSEN
Nichicon
LNT2A683MSEB
Nichicon
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C8N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
LFX200B-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation