maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / LDA200S
Référence fabricant | LDA200S |
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Numéro de pièce future | FT-LDA200S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
LDA200S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 2 |
Tension - Isolement | 3750Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 33% @ 1mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 1000% @ 1mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 7µs, 20µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | AC, DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 30V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 1mA |
Vce Saturation (Max) | 500mV |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LDA200S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LDA200S-FT |
H11AA1S1(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
H11AA2S(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
H11AA2S(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
H11AA2S(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
H11AA2S(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
H11AA2S1(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
H11AA2S1(TB)
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H11AA2S1(TB)-V
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H11AA3S(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
H11AA3S(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
LFEC1E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
APA150-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX36-FPQ208
Microsemi Corporation
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
AGL400V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2S90F780C5N
Intel
EPF10K50VQI240-2N
Intel