maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11AA1S1(TB)-V
Référence fabricant | H11AA1S1(TB)-V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H11AA1S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11AA1S1(TB)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 20% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 10µs, 10µs (Max) |
Temps de montée / descente (type) | 10µs, 10µs (Max) |
Type d'entrée | AC, DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11AA1S1(TB)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11AA1S1(TB)-V-FT |
CNY17-2S(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-2S(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-2S1(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-2S1(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-2S1(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-2S1(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-3S(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-3S(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-3S1(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-3S1(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FGG256M
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
M2GL005-VF400
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD8K3F40C2N
Intel
EP3SL110F1152C4
Intel
A42MX24-1TQ176
Microsemi Corporation
A3P250-FGG144I
Microsemi Corporation