maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LAL04TB1R2M
Référence fabricant | LAL04TB1R2M |
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Numéro de pièce future | FT-LAL04TB1R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LA, L Type |
LAL04TB1R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 880mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 210 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 144MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL04TB1R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LAL04TB1R2M-FT |
LAL04NA121K
Taiyo Yuden
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A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
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10AX090S4F45E3SG
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EP2SGX60DF780C3
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