maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LAL04NA1R8M
Référence fabricant | LAL04NA1R8M |
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Numéro de pièce future | FT-LAL04NA1R8M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LA, L Type |
LAL04NA1R8M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 1.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 790mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 250 mOhm Max |
Q @ Freq | 55 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 121MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL04NA1R8M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LAL04NA1R8M-FT |
LAL03VB120K
Taiyo Yuden
LAL03VB121K
Taiyo Yuden
LAL03VB150K
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
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5SGXEA7H3F35C2N
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5AGXMA5G4F31C4N
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