Référence fabricant | KBU6J |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-KBU6J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
KBU6J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 6A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, KBU |
Package d'appareils du fournisseur | KBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBU6J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | KBU6J-FT |
BR610
GeneSiC Semiconductor
BR64
GeneSiC Semiconductor
BR66
GeneSiC Semiconductor
BR68
GeneSiC Semiconductor
BR805
GeneSiC Semiconductor
BR810
GeneSiC Semiconductor
BR82
GeneSiC Semiconductor
BR84
GeneSiC Semiconductor
BR86
GeneSiC Semiconductor
BR88
GeneSiC Semiconductor
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45C2N
Intel
5SGXEBBR3H43I3LN
Intel
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31C5N
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP20K100EBC356-3
Intel
EP4SGX530HH35C2
Intel