Référence fabricant | BR810 |
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Numéro de pièce future | FT-BR810 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR810 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, BR-8 |
Package d'appareils du fournisseur | BR-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR810 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR810-FT |
RABF26-13
Diodes Incorporated
RABF28-13
Diodes Incorporated
RDBF151U-13
Diodes Incorporated
RDBF152U-13
Diodes Incorporated
RDBF154U-13
Diodes Incorporated
RDBF156U-13
Diodes Incorporated
RDBF158U-13
Diodes Incorporated
RDBF251-13
Diodes Incorporated
RDBF252-13
Diodes Incorporated
RDBF254-13
Diodes Incorporated
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel