maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / KBU2510-G
Référence fabricant | KBU2510-G |
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Numéro de pièce future | FT-KBU2510-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
KBU2510-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, KBU |
Package d'appareils du fournisseur | KBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBU2510-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | KBU2510-G-FT |
DF1501S-T
Diodes Incorporated
DF1508S-T
Diodes Incorporated
DF10S-T
Diodes Incorporated
DF06S-T
Diodes Incorporated
DF1510S-T
Diodes Incorporated
DF1504S-T
Diodes Incorporated
DF01S-T
Diodes Incorporated
DF1506S-T
Diodes Incorporated
DF005S-T
Diodes Incorporated
DF15005S-T
Diodes Incorporated
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel