Référence fabricant | KBJ410G |
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Numéro de pièce future | FT-KBJ410G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
KBJ410G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, KBJ |
Package d'appareils du fournisseur | KBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBJ410G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | KBJ410G-FT |
UG3KB20GTB
SMC Diode Solutions
UG3KB40GTB
SMC Diode Solutions
UG3KB80GTB
SMC Diode Solutions
UG4KB05TB
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UG4KB10TB
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UG4KB20TB
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UG4KB40TB
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UG4KB80TB
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UG6KB05TB
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UG6KB10TB
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XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel