maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / UG4KB10TB
Référence fabricant | UG4KB10TB |
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Numéro de pièce future | FT-UG4KB10TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UG4KB10TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | D3K |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG4KB10TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UG4KB10TB-FT |
GBLA10-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBP304G
Diodes Incorporated
KBP306G
Diodes Incorporated
KBP308G
Diodes Incorporated
KBP310G
Diodes Incorporated
KBP404G
Diodes Incorporated
KBP406G
Diodes Incorporated
KBP408G
Diodes Incorporated
KBP410G
Diodes Incorporated
KBL401G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
M1A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F35C3
Intel
XC7VX690T-2FF1158I
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
A3P060-FGG144I
Microsemi Corporation
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23C7N
Intel