maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / JANTXV2N6782
Référence fabricant | JANTXV2N6782 |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N6782 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/556 |
JANTXV2N6782 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 610 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta), 15W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-205AF (TO-39) |
Paquet / caisse | TO-205AF Metal Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6782 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N6782-FT |
JAN2N6764
Microsemi Corporation
JAN2N6764T1
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JAN2N6766
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JAN2N6766T1
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JAN2N6768T1
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JAN2N6770T1
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JAN2N6782
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JAN2N6782U
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XA3S500E-4FTG256I
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XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
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A54SX16A-FGG256I
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AT40K20-2AQC
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EP2S30F672C4
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10M40DCF672C7G
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A42MX16-3PQ100
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EP4CGX22CF19C6N
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