maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / JANTXV2N6770
Référence fabricant | JANTXV2N6770 |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N6770 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/543 |
JANTXV2N6770 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-204AE (TO-3) |
Paquet / caisse | TO-204AE |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6770 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N6770-FT |
JAN2N6760
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JAN2N6762
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JAN2N6764
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JAN2N6764T1
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JAN2N6766
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JAN2N6768T1
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JAN2N6770T1
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A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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EP2C20Q240C8N
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