maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTXV2N6353
Référence fabricant | JANTXV2N6353 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N6353 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/472 |
JANTXV2N6353 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 10mA, 5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 5V |
Puissance - Max | 2W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-213AA, TO-66-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-66 (TO-213AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6353 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N6353-FT |
JANTX2N5661
Microsemi Corporation
JANTX2N5662
Microsemi Corporation
JANTX2N5666S
Microsemi Corporation
JANTX2N5667S
Microsemi Corporation
JANTX2N5672
Microsemi Corporation
JANTX2N5684
Microsemi Corporation
JANTX2N5685
Microsemi Corporation
JANTX2N5686
Microsemi Corporation
JANTX2N5745
Microsemi Corporation
JANTX2N6211
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel