maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTX2N5666S
Référence fabricant | JANTX2N5666S |
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Numéro de pièce future | FT-JANTX2N5666S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/455 |
JANTX2N5666S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 200V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5A, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 200nA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 5V |
Puissance - Max | 1.2W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-39 (TO-205AD) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N5666S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTX2N5666S-FT |
JAN2N706
Microsemi Corporation
JAN2N708
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Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
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LFE3-70E-6FN1156C
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EP1S60B956C7
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