maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JAN2N7372
Référence fabricant | JAN2N7372 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN2N7372 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/612 |
JAN2N7372 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2.5A, 5V |
Puissance - Max | 4W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-254AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N7372 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN2N7372-FT |
HCT2222ATXV
TT Electronics/Optek Technology
HD1A3M(0)-T1-AZ
Renesas Electronics America
JAN2N1016B
Microsemi Corporation
JAN2N1016C
Microsemi Corporation
JAN2N1016D
Microsemi Corporation
JAN2N1479
Microsemi Corporation
JAN2N1485
Microsemi Corporation
JAN2N1486
Microsemi Corporation
JAN2N1489
Microsemi Corporation
JAN2N1613
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel