maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTXV2N3019S
Référence fabricant | JANTXV2N3019S |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV2N3019S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/391 |
JANTXV2N3019S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10nA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
Puissance - Max | 800mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-39 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3019S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV2N3019S-FT |
PBSS4140T,235
Nexperia USA Inc.
PBSS4230T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS4320T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS5130T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS5160T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS5250T,215
Nexperia USA Inc.
PBSS5250THR
Nexperia USA Inc.
PBSS5350THR
Nexperia USA Inc.
PMBS3906,215
Nexperia USA Inc.
PMBS3906,235
Nexperia USA Inc.
LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.