maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / PBSS5130T,215
Référence fabricant | PBSS5130T,215 |
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Numéro de pièce future | FT-PBSS5130T,215 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PBSS5130T,215 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 225mV @ 50mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 260 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 480mW |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS5130T,215 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PBSS5130T,215-FT |
BC807-16LVL
Nexperia USA Inc.
BC807-16LZ
Nexperia USA Inc.
BC807-25,235
Nexperia USA Inc.
BC807-25LR
Nexperia USA Inc.
BC807-25LVL
Nexperia USA Inc.
BC807-25LZ
Nexperia USA Inc.
BC807-40LR
Nexperia USA Inc.
BC807-40LVL
Nexperia USA Inc.
BC807-40LZ
Nexperia USA Inc.
BC817-16,235
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-PQG208
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A1020B-PL68I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3LG
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EP4SGX110FF35C4N
Intel