maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / PBSS5130T,215
Référence fabricant | PBSS5130T,215 |
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Numéro de pièce future | FT-PBSS5130T,215 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PBSS5130T,215 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 225mV @ 50mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 260 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 480mW |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS5130T,215 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PBSS5130T,215-FT |
BC807-16LVL
Nexperia USA Inc.
BC807-16LZ
Nexperia USA Inc.
BC807-25,235
Nexperia USA Inc.
BC807-25LR
Nexperia USA Inc.
BC807-25LVL
Nexperia USA Inc.
BC807-25LZ
Nexperia USA Inc.
BC807-40LR
Nexperia USA Inc.
BC807-40LVL
Nexperia USA Inc.
BC807-40LZ
Nexperia USA Inc.
BC817-16,235
Nexperia USA Inc.
LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.