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Référence fabricant | JANTXV1N5809URS |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV1N5809URS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JANTXV1N5809URS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 875mV @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5809URS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV1N5809URS-FT |
JANTX1N5814R
Microsemi Corporation
JANTX1N5816
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A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
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Intel
10M16DAF256I7G
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EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
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LFXP2-5E-5QN208C
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LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel