maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JANTX1N5816
Référence fabricant | JANTX1N5816 |
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Numéro de pièce future | FT-JANTX1N5816 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 |
JANTX1N5816 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 300pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA (DO-4) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N5816 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTX1N5816-FT |
JAN1N6621
Microsemi Corporation
JAN1N6621U
Microsemi Corporation
JAN1N6621US
Microsemi Corporation
JAN1N6622
Microsemi Corporation
JAN1N6622U
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JAN1N6622US
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JAN1N6623
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JAN1N6623U
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JAN1N6623US
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JAN1N6624
Microsemi Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel