maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JANTX2N3440UA
Référence fabricant | JANTX2N3440UA |
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Numéro de pièce future | FT-JANTX2N3440UA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/368 |
JANTX2N3440UA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 250V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 2µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
Puissance - Max | 800mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | UA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N3440UA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTX2N3440UA-FT |
JAN2N5014
Microsemi Corporation
JAN2N5014S
Microsemi Corporation
JAN2N5015
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JAN2N5015S
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JAN2N5154
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JAN2N5416
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A3PE600-1FG484I
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XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
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LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
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