maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JAN2N5416
Référence fabricant | JAN2N5416 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN2N5416 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JAN2N5416 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Puissance - Max | 750mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N5416 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN2N5416-FT |
CZT5551 BK
Central Semiconductor Corp
CZT5551E BK
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CZT5551E TR
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CZTUX87 BK
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CZTUX87 TR
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DXTN07025BFG-7
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Diodes Incorporated
LFXP6C-5T144C
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XC3S1200E-5FGG320C
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XC7A50T-1FG484C
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A3PN060-2VQG100I
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EP4CGX30CF23C8
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10AX090S4F45E3LG
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