maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JANS1N6761UR-1
Référence fabricant | JANS1N6761UR-1 |
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Numéro de pièce future | FT-JANS1N6761UR-1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/586 |
JANS1N6761UR-1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 380mV @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AB (MELF, LL41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6761UR-1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANS1N6761UR-1-FT |
MS106E3/TR12
Microsemi Corporation
MS106E3/TR8
Microsemi Corporation
MS108/TR12
Microsemi Corporation
MS108/TR8
Microsemi Corporation
MS108E3/TR12
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MS108E3/TR8
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MS109/TR12
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MS109/TR8
Microsemi Corporation
MS109E3/TR12
Microsemi Corporation
MS109E3/TR8
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
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M1A3P1000L-1FGG484I
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Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
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EP4SGX110HF35I3
Intel