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Référence fabricant | JANS1N6661US |
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Numéro de pièce future | FT-JANS1N6661US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/587 |
JANS1N6661US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 225V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 400mA |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 225V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, A |
Package d'appareils du fournisseur | D-5A |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6661US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANS1N6661US-FT |
JAN1N1190
Microsemi Corporation
JAN1N1190R
Microsemi Corporation
JAN1N1202A
Microsemi Corporation
JAN1N1202AR
Microsemi Corporation
JAN1N1204A
Microsemi Corporation
JAN1N1204AR
Microsemi Corporation
JAN1N1206A
Microsemi Corporation
JAN1N1206AR
Microsemi Corporation
JAN1N1614
Microsemi Corporation
JAN1N1614R
Microsemi Corporation
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
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EP4CGX22BF14C6N
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XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
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LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
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