maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JANS1N5816
Référence fabricant | JANS1N5816 |
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Numéro de pièce future | FT-JANS1N5816 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 |
JANS1N5816 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 300pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA (DO-4) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N5816 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANS1N5816-FT |
JAN1N1186
Microsemi Corporation
JAN1N1186R
Microsemi Corporation
JAN1N1188R
Microsemi Corporation
JAN1N1190
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JAN1N1190R
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XC7A100T-2FTG256C
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XC6SLX100-3FGG484I
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A3P030-1VQG100I
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AT40K05AL-1DQC
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5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
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LFE3-95E-7FN672C
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