maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JAN2N6051
Référence fabricant | JAN2N6051 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN2N6051 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/501 |
JAN2N6051 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | PNP - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 12A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Puissance - Max | 150W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3 (TO-204AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6051 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN2N6051-FT |
DXTP07060BFG-7
Diodes Incorporated
DXTP07100BFG-7
Diodes Incorporated
EN2222A
Central Semiconductor Corp
EN2907A
Central Semiconductor Corp
FJP13007H2TU-F080
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FJZ733GTF
ON Semiconductor
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FJZ733OTF
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FJZ733YTF
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AT40K10LV-3BQC
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XC3S400A-5FG400C
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
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