maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / FJP13007H2TU-F080
Référence fabricant | FJP13007H2TU-F080 |
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Numéro de pièce future | FT-FJP13007H2TU-F080 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FJP13007H2TU-F080 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 2A, 8A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 2A, 5V |
Puissance - Max | 80W |
Fréquence - Transition | 4MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJP13007H2TU-F080 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FJP13007H2TU-F080-FT |
BUK9Y11-30B/C1,115
NXP USA Inc.
BUK9Y12-40E/GFX
NXP USA Inc.
BUK9Y25-60E/GFX
NXP USA Inc.
BUK9Y29-40E/CX
NXP USA Inc.
BUK9Y30-75B/C1,115
NXP USA Inc.
BUK9Y3R0-40E/CX
NXP USA Inc.
BUK9Y3R0-40E/GFX
NXP USA Inc.
BUK9Y41-80E/GFX
NXP USA Inc.
BUK9Y43-60E/GFX
NXP USA Inc.
BUK9Y59-60E/GFX
NXP USA Inc.
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
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