maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JAN2N3418
Référence fabricant | JAN2N3418 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN2N3418 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/393 |
JAN2N3418 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 2V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-39 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3418 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN2N3418-FT |
2N328A
Microsemi Corporation
2N329A
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HS2222A
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Microsemi Corporation
JAN2N2218
Microsemi Corporation
JAN2N2218AL
Microsemi Corporation
JAN2N2221AL
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
JAN2N2221AUB
Microsemi Corporation
XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
5SGSED6K2F40I3LN
Intel
5SGSED6K2F40I3N
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
LCMXO2-2000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX022E3F29E1SG
Intel
EPF10K50SQC208-2X
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