maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JAN2N2218
Référence fabricant | JAN2N2218 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN2N2218 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/251 |
JAN2N2218 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10nA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
Puissance - Max | 800mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-39 (TO-205AD) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2218 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN2N2218-FT |
DXTP3C100PSQ-13
Diodes Incorporated
DXTP3C60PSQ-13
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ZXT951KQTC
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A3P1000-FG256
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LFE5UM-85F-7BG554I
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EP20K600EFC672-3
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5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
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XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel