maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6163
Référence fabricant | JAN1N6163 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6163 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6163 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 56V |
Tension - Panne (Min) | 67.74V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 108.26V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 13.78A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6163 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6163-FT |
JAN1N6132A
Microsemi Corporation
JAN1N6132AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6132US
Microsemi Corporation
JAN1N6133
Microsemi Corporation
JAN1N6133A
Microsemi Corporation
JAN1N6133AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6133US
Microsemi Corporation
JAN1N6134
Microsemi Corporation
JAN1N6134A
Microsemi Corporation
JAN1N6134AUS
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation