maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6134
Référence fabricant | JAN1N6134 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6134 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6134 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 114V |
Tension - Panne (Min) | 135.38V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 216.62V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 2.28A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6134 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6134-FT |
JAN1N6109
Microsemi Corporation
JAN1N6109A
Microsemi Corporation
JAN1N6109AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6109US
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JAN1N6110
Microsemi Corporation
JAN1N6110AUS
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JAN1N6110US
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JAN1N6111
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Microsemi Corporation
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XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
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M1AFS600-FG256
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EP2C70F672C7N
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10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
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EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
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LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation