maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6109
Référence fabricant | JAN1N6109 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N6109 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6109 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 9.9V |
Tension - Panne (Min) | 11.73V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 19.11V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 26.13A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6109 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6109-FT |
GSOT24-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT24C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
HSP053-4M5
STMicroelectronics
HSP061-4F4
STMicroelectronics
ICT-10
Microsemi Corporation
ICT-10C
Microsemi Corporation
ICT-12
Microsemi Corporation
ICT-12C
Microsemi Corporation
XC4005E-4TQ144C
Xilinx Inc.
XCV100E-7FG256C
Xilinx Inc.
XCKU11P-1FFVE1517I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX72A-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43I2L
Intel
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K600EBC652-1
Intel
EP1C4F324C6
Intel