maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6155US
Référence fabricant | JAN1N6155US |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N6155US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6155US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 27.4V |
Tension - Panne (Min) | 32.49V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 52.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 28.6A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, C |
Package d'appareils du fournisseur | C, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6155US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6155US-FT |
JAN1N6126US
Microsemi Corporation
JAN1N6127
Microsemi Corporation
JAN1N6127A
Microsemi Corporation
JAN1N6127AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6127US
Microsemi Corporation
JAN1N6128
Microsemi Corporation
JAN1N6128A
Microsemi Corporation
JAN1N6128AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6128US
Microsemi Corporation
JAN1N6129
Microsemi Corporation
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel