maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6126US
Référence fabricant | JAN1N6126US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6126US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6126US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 51.7V |
Tension - Panne (Min) | 61.37V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 101.96V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 4.85A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6126US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6126US-FT |
JAN1N6061A
Microsemi Corporation
JAN1N6069A
Microsemi Corporation
JAN1N6072A
Microsemi Corporation
JAN1N6100
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JAN1N6101
Microsemi Corporation
JAN1N6103
Microsemi Corporation
JAN1N6103A
Microsemi Corporation
JAN1N6103AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6103US
Microsemi Corporation
JAN1N6104
Microsemi Corporation
XC2V40-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
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EP2C8F256C8
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ICE40UL1K-CM36AI
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LFE2-50SE-7FN672C
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LCMXO2-4000HE-6FTG256I
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LFXP2-40E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel
EPF10K50EQC240-3
Intel