maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6103A
Référence fabricant | JAN1N6103A |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6103A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6103A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.7V |
Tension - Panne (Min) | 7.13V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 11.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 44.6A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6103A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6103A-FT |
ESD311U102NE6327XTSA1
Infineon Technologies
ESD5483FCT5G
ON Semiconductor
ESD6100
ON Semiconductor
ESD6110
ON Semiconductor
ESD6116
ON Semiconductor
ESD8551N2T5G
ON Semiconductor
ESDAVLC6-5BU6
STMicroelectronics
ESDLC5V0K5-TP
Micro Commercial Co
GL05-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A42MX16-2PQG100
Microsemi Corporation
XA6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84M
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQI
Microchip Technology
EPF10K100ABC600-2
Intel
EP4SGX290FH29C3
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EP4CE22E22I8LN
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5SGXEA4H1F35C2N
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EP20K100CQ240C7ES
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