maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6152
Référence fabricant | JAN1N6152 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N6152 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6152 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 20.6V |
Tension - Panne (Min) | 24.42V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 39.27V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 38.1A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6152 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6152-FT |
JAN1N6124
Microsemi Corporation
JAN1N6124A
Microsemi Corporation
JAN1N6124AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6124US
Microsemi Corporation
JAN1N6125
Microsemi Corporation
JAN1N6125A
Microsemi Corporation
JAN1N6125AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6125US
Microsemi Corporation
JAN1N6126
Microsemi Corporation
JAN1N6126A
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23C8
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
XC7K160T-2FBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP4CE40F29C6N
Intel
EP20K200CB652C8
Intel