maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6125US
Référence fabricant | JAN1N6125US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6125US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6125US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 47.1V |
Tension - Panne (Min) | 55.96V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 89.57V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 5.61A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6125US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6125US-FT |
JAN1N6052A
Microsemi Corporation
JAN1N6053A
Microsemi Corporation
JAN1N6055A
Microsemi Corporation
JAN1N6057A
Microsemi Corporation
JAN1N6061A
Microsemi Corporation
JAN1N6069A
Microsemi Corporation
JAN1N6072A
Microsemi Corporation
JAN1N6100
Microsemi Corporation
JAN1N6101
Microsemi Corporation
JAN1N6103
Microsemi Corporation
XCV600-5FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FG484
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40C2L
Intel
10M40DAF672C7G
Intel
10AX032H3F35I2SG
Intel
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324I7
Intel