maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6150US
Référence fabricant | JAN1N6150US |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N6150US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6150US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 16.7V |
Tension - Panne (Min) | 19.86V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 32.03V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 46.74A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, C |
Package d'appareils du fournisseur | C, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6150US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6150US-FT |
JAN1N6123
Microsemi Corporation
JAN1N6123A
Microsemi Corporation
JAN1N6123AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6123US
Microsemi Corporation
JAN1N6124
Microsemi Corporation
JAN1N6124A
Microsemi Corporation
JAN1N6124AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6124US
Microsemi Corporation
JAN1N6125
Microsemi Corporation
JAN1N6125A
Microsemi Corporation
XC7A35T-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7K3F35C2LN
Intel
A1020B-2PL44C
Microsemi Corporation
XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8N
Intel
EP1S80F1020C7N
Intel