maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6150US
Référence fabricant | JAN1N6150US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6150US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6150US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 16.7V |
Tension - Panne (Min) | 19.86V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 32.03V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 46.74A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, C |
Package d'appareils du fournisseur | C, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6150US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6150US-FT |
JAN1N6123
Microsemi Corporation
JAN1N6123A
Microsemi Corporation
JAN1N6123AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6123US
Microsemi Corporation
JAN1N6124
Microsemi Corporation
JAN1N6124A
Microsemi Corporation
JAN1N6124AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6124US
Microsemi Corporation
JAN1N6125
Microsemi Corporation
JAN1N6125A
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1PQ208I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
10AX032H4F34E3SG
Intel
XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
LFE5U-25F-7BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6U19A7N
Intel
EP4SGX360HF35C3
Intel