maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N5619US
Référence fabricant | JAN1N5619US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N5619US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/429 |
JAN1N5619US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.6V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 12V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, A |
Package d'appareils du fournisseur | D-5A |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5619US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5619US-FT |
VSSAF5M6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RURP1560-F085P
ON Semiconductor
SK15H45 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
STPS1045RL
STMicroelectronics
STPS2L40AF
STMicroelectronics
2941497
Phoenix Contact
B120AE-13
Diodes Incorporated
B130AE-13
Diodes Incorporated
B140AE-13
Diodes Incorporated
B150AE-13
Diodes Incorporated
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel