maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / J111,126
Référence fabricant | J111,126 |
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Numéro de pièce future | FT-J111,126 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
J111,126 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 40V |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 20mA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 10V @ 1µA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
Résistance - RDS (On) | 30 Ohms |
Puissance - Max | 400mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J111,126 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | J111,126-FT |
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5SGXMA3K1F35I2N
Intel
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Intel
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Microsemi Corporation
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
5CEFA4U19I7N
Intel