Référence fabricant | J112 |
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Numéro de pièce future | FT-J112 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
J112 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 35V |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 1V @ 1µA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Résistance - RDS (On) | 50 Ohms |
Puissance - Max | 625mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J112 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | J112-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
M7A3P1000-2PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C40F484C6N
Intel
10CX220YU484I5G
Intel
XC7A75T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3LG
Intel