maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / J108_D26Z
Référence fabricant | J108_D26Z |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-J108_D26Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
J108_D26Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 25V |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 80mA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 3V @ 10nA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Résistance - RDS (On) | 8 Ohms |
Puissance - Max | 625mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J108_D26Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | J108_D26Z-FT |
J111,126
NXP USA Inc.
J112,126
NXP USA Inc.
J113,126
NXP USA Inc.
J174
ON Semiconductor
J174,126
NXP USA Inc.
J175
ON Semiconductor
J175,116
NXP USA Inc.
J176
ON Semiconductor
J176,126
NXP USA Inc.
J177
ON Semiconductor
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3AQC
Microchip Technology
5AGXMA3D4F27C4G
Intel
5SGXMB6R3F43C2N
Intel
5SGXMA3K1F35I2N
Intel
EP2SGX90EF1152I4N
Intel
A1010B-PL44I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
5CEFA4U19I7N
Intel