maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / J108_D26Z
Référence fabricant | J108_D26Z |
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Numéro de pièce future | FT-J108_D26Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
J108_D26Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 25V |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 80mA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 3V @ 10nA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Résistance - RDS (On) | 8 Ohms |
Puissance - Max | 625mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J108_D26Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | J108_D26Z-FT |
J111,126
NXP USA Inc.
J112,126
NXP USA Inc.
J113,126
NXP USA Inc.
J174
ON Semiconductor
J174,126
NXP USA Inc.
J175
ON Semiconductor
J175,116
NXP USA Inc.
J176
ON Semiconductor
J176,126
NXP USA Inc.
J177
ON Semiconductor
XCKU060-3FFVA1517E
Xilinx Inc.
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
EP4SE360F35I4N
Intel
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30B956C7
Intel