maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / J106_D26Z
Référence fabricant | J106_D26Z |
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Numéro de pièce future | FT-J106_D26Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
J106_D26Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 25V |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 200mA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 2V @ 1µA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Résistance - RDS (On) | 6 Ohms |
Puissance - Max | 625mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J106_D26Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | J106_D26Z-FT |
J109,126
NXP USA Inc.
J110,126
NXP USA Inc.
J111,126
NXP USA Inc.
J112,126
NXP USA Inc.
J113,126
NXP USA Inc.
J174
ON Semiconductor
J174,126
NXP USA Inc.
J175
ON Semiconductor
J175,116
NXP USA Inc.
J176
ON Semiconductor
M2GL090TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I4
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
A40MX02-PLG44
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XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CS281
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LFE3-17EA-7LMG328C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation