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IXYS IXTY1R4N120PHV

Name: IXTY1R4N120PHV
Brand: IXYS
SKU: IXTY1R4N120PHV
Price: 1.8 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (588 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXTY1R4N120PHV

quantité disponible: 61800 Pièces

Prix de référence: USD 1.8

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: Polar™ MOSFET N-CH

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXTY1R4N120PHV.pdf

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IXTY1R4N120PHV Caractéristiques

Référence fabricant	IXTY1R4N120PHV
Numéro de pièce future	FT-IXTY1R4N120PHV
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Polar™
IXTY1R4N120PHV Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	24.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	666pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	86W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTY1R4N120PHV Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXTY1R4N120PHV-FT

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