maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTV36N50PS
Référence fabricant | IXTV36N50PS |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTV36N50PS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarHV™ |
IXTV36N50PS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 36A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 540W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS-220SMD |
Paquet / caisse | PLUS-220SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTV36N50PS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTV36N50PS-FT |
IXFT74N20Q
IXYS
IXFV110N10P
IXYS
IXFV110N10PS
IXYS
IXFV12N120P
IXYS
IXFV12N120PS
IXYS
IXFV12N80P
IXYS
IXFV12N80PS
IXYS
IXFV12N90PS
IXYS
IXFV14N80P
IXYS
IXFV14N80PS
IXYS
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel