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IXYS IXFV12N120PS

Numéro de pièce MFG
IXFV12N120PS
quantité disponible
86030 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IXFV12N120PS Caractéristiques

Référence fabricant IXFV12N120PS
Numéro de pièce future FT-IXFV12N120PS
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HiPerFET™, PolarP2™
IXFV12N120PS Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 103nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 543W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PLUS-220SMD
Paquet / caisse PLUS-220SMD
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFV12N120PS Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXFV12N120PS-FT

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